HUFA76407D3S

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विशेष विवरण

भाग संख्या

HUFA76407D3S
निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

HUFA76407D3S.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

3V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±16V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-252AA
शृंखला

UltraFET™
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

92 mOhm @ 13A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

38W (Tc)
पैकेजिंग

Tube
पैकेज / प्रकरण

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

350pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

11.3nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

60V
विस्तृत विवरण

N-Channel 60V 12A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount TO-252AA
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

12A (Tc)

निम्नलिखित "HUFA76407D3S" संबंधित उत्पाद हैं।

HUFA75852G3

विवरण: MOSFET N-CH 150V 75A TO-247

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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