J112RLRA

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विशेष विवरण

भाग संख्या

J112RLRA
निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

JFET N-CH 35V 0.35W TO92
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
डाटा शीट

J112RLRA.pdf
वोल्टेज - कटऑफ (वीजीएस बंद) @ पहचान पत्र

1V @ 1µA
वोल्टेज - टूटने (वी (बीआर) जीएसएस)

35V
प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-92-3
शृंखला

-
प्रतिरोध - आरडीएस (पर)

50 Ohms
पावर - मैक्स

350mW
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
परिचालन तापमान

-65°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Contains lead / RoHS non-compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

-
FET प्रकार

N-Channel
विस्तृत विवरण

JFET N-Channel 35V 350mW Through Hole TO-92-3
वर्तमान - नाली (IDSs) @ Vds (वीजीएस = 0)

5mA @ 15V
आधार भाग संख्या

J112

निम्नलिखित "J112RLRA" संबंधित उत्पाद हैं।

J111_D27Z

विवरण: JFET N-CH 35V 625MW TO92

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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J112RLRA

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