KSE803STU

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विशेष विवरण

भाग संख्या

KSE803STU
निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

TRANS NPN DARL 80V 4A TO-126
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

KSE803STU.pdf
वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)

80V
Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी

2.8V @ 40mA, 2A
ट्रांजिस्टर प्रकार

NPN - Darlington
प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-126-3
शृंखला

-
पावर - मैक्स

40W
पैकेजिंग

Tube
पैकेज / प्रकरण

TO-225AA, TO-126-3
परिचालन तापमान

150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
आवृत्ति - संक्रमण

-
विस्तृत विवरण

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 4A 40W Through Hole TO-126-3
डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce

750 @ 2A, 3V
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)

100µA
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)

4A

निम्नलिखित "KSE803STU" संबंधित उत्पाद हैं।

KSE800S

विवरण: TRANS NPN DARL 60V 4A TO-126

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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