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MJD5731T4G

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    MJD5731T4G
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    TRANS PNP 350V 1A DPAK
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    1A
  • वोल्टेज - टूटने
    DPAK-3
  • Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी
    350V
  • शृंखला
    -
  • RoHS स्थिति
    Digi-Reel®
  • रोकनेवाला - बेस (आर 1) (ओम)
    10MHz
  • पावर - मैक्स
    1.56W
  • ध्रुवीकरण
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • दुसरे नाम
    MJD5731T4GOSDKR
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    6 Weeks
  • उत्पादक हिस्सा करमार्क
    MJD5731T4G
  • आवृत्ति - संक्रमण
    30 @ 300mA, 10V
  • विस्तारित विवरण
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 350V 1A 10MHz 1.56W Surface Mount DPAK-3
  • विवरण
    TRANS PNP 350V 1A DPAK
  • डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce
    100µA
  • वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)
    1V @ 200mA, 1A
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)
    PNP
MJD47T4

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विवरण: TRANS NPN 250V 1A DPAK

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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MJD47G

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विवरण: TRANS NPN 250V 1A DPAK

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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MJD45H11RLG

MJD45H11RLG

विवरण: TRANS PNP 80V 8A DPAK

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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MJD50T4

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विवरण: TRANS NPN 400V 1A DPAK

निर्माता: STMicroelectronics
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MJD45H11TF

MJD45H11TF

विवरण: TRANS PNP 80V 8A DPAK

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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MJD50G

MJD50G

विवरण: TRANS NPN 400V 1A DPAK

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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MJD6039T4G

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विवरण: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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MJD47TF

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विवरण: TRANS NPN 250V 1A DPAK

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MJD50T4G

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विवरण: TRANS NPN 400V 1A DPAK

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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MJD50TF

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MJD5731T4

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विवरण: TRANS PNP 350V 1A DPAK

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MJD47

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MJD45H11TM

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विवरण: TRANS PNP 80V 8A DPAK

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MJD47T4G

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विवरण: TRANS NPN 250V 1A DPAK

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MJD47T4

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MJD50

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