MUN2211JT1

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विशेष विवरण

भाग संख्या

MUN2211JT1
निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

TRANS PREBIAS NPN 2.7W SC59
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)

50V
Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी

250mV @ 300µA, 10mA
ट्रांजिस्टर प्रकार

NPN - Pre-Biased
प्रदायक डिवाइस पैकेज

SC-59
शृंखला

-
प्रतिरोधी - एमिटर बेस (आर 2)

10 kOhms
प्रतिरोधी - आधार (आर 1)

10 kOhms
पावर - मैक्स

230mW
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Contains lead / RoHS non-compliant
विस्तृत विवरण

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-59
डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce

35 @ 5mA, 10V
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)

500nA
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)

100mA
आधार भाग संख्या

MUN2211

निम्नलिखित "MUN2211JT1" संबंधित उत्पाद हैं।

MUN2213JT1G

विवरण: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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