MUN5137DW1T1G

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विशेष विवरण

भाग संख्या

MUN5137DW1T1G
निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC88
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

MUN5137DW1T1G.pdf
वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)

50V
Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी

250mV @ 5mA, 10mA
ट्रांजिस्टर प्रकार

2 PNP - Pre-Biased (Dual)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

SC-88/SC70-6/SOT-363
शृंखला

-
प्रतिरोधी - एमिटर बेस (आर 2)

22 kOhms
प्रतिरोधी - आधार (आर 1)

47 kOhms
पावर - मैक्स

250mW
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
दुसरे नाम

MUN5137DW1T1GOS
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
आवृत्ति - संक्रमण

-
विस्तृत विवरण

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce

80 @ 5mA, 10V
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)

500nA
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)

100mA
आधार भाग संख्या

MUN51**DW1T

निम्नलिखित "MUN5137DW1T1G" संबंधित उत्पाद हैं।

MUN5137DW1T1

विवरण: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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