MUN5316DW1T1

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विशेष विवरण

भाग संख्या

MUN5316DW1T1
निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
डाटा शीट

MUN5316DW1T1.pdf
वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)

50V
Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी

250mV @ 1mA, 10mA
ट्रांजिस्टर प्रकार

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

SC-88/SC70-6/SOT-363
शृंखला

-
प्रतिरोधी - एमिटर बेस (आर 2)

-
प्रतिरोधी - आधार (आर 1)

4.7 kOhms
पावर - मैक्स

250mW
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Contains lead / RoHS non-compliant
आवृत्ति - संक्रमण

-
विस्तृत विवरण

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce

160 @ 5mA, 10V
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)

500nA
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)

100mA
आधार भाग संख्या

MUN53**DW1

निम्नलिखित "MUN5316DW1T1" संबंधित उत्पाद हैं।

MUN5315DW1T1G

विवरण: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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