NGTB20N120IHWG

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विशेष विवरण

भाग संख्या

NGTB20N120IHWG

निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi

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स्टॉक में

विवरण

IGBT 20A 1200V TO-247

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

NGTB20N120IHWG.pdf

वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)

1200V

Vce (पर) (मैक्स) @ Vge, आईसी

2.65V @ 15V, 20A

परीक्षण स्थिति

600V, 20A, 10 Ohm, 15V

टीडी (चालू / बंद) @ 25 डिग्री सेल्सियस

-/170ns

स्विचिंग ऊर्जा

480µJ (off)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-247-3

शृंखला

-

पावर - मैक्स

341W

पैकेजिंग

Tube

पैकेज / प्रकरण

TO-247-3

दुसरे नाम

NGTB20N120IHWGOS

परिचालन तापमान

-40°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट प्रकार

Standard

आईजीबीटी प्रकार

Trench Field Stop

गेट प्रभारी

150nC

विस्तृत विवरण

IGBT Trench Field Stop 1200V 40A 341W Through Hole TO-247-3

वर्तमान - कलेक्टर स्पंदित (आईसीएम)

80A

वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)

40A

निम्नलिखित "NGTB20N120IHWG" संबंधित उत्पाद हैं।

NGTB15N60EG

विवरण: IGBT 600V 30A 117W TO220-3

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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