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NGTD20T120F2WP

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    NGTD20T120F2WP
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    1200V
  • Vce (पर) (मैक्स) @ Vge, आईसी
    2.4V @ 15V, 20A
  • परीक्षण स्थिति
    -
  • टीडी (चालू / बंद) @ 25 डिग्री सेल्सियस
    -
  • स्विचिंग ऊर्जा
    -
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    Die
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Bulk
  • पैकेज / प्रकरण
    Die
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    4 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट प्रकार
    Standard
  • आईजीबीटी प्रकार
    Trench Field Stop
  • विस्तृत विवरण
    IGBT Trench Field Stop 1200V Surface Mount Die
  • वर्तमान - कलेक्टर स्पंदित (आईसीएम)
    100A
NGTD21T65F2SWK

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विवरण: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NGTD28T65F2SWK

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निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NGTD20T120F2SWK

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विवरण: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NGTD13T65F2WP

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विवरण: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

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NGTD5R65F2WP

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NGTD23T120F2WP

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