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NSBA114EDXV6T1G

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    NSBA114EDXV6T1G
  • निर्माता / ब्रांड
    AMI Semiconductor/onsemi
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    NSBA114EDXV6T1G.pdf
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    50V
  • Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी
    250mV @ 300µA, 10mA
  • ट्रांजिस्टर प्रकार
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    SOT-563
  • शृंखला
    -
  • प्रतिरोधी - एमिटर बेस (आर 2)
    10 kOhms
  • प्रतिरोधी - आधार (आर 1)
    10 kOhms
  • पावर - मैक्स
    500mW
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    SOT-563, SOT-666
  • दुसरे नाम
    NSBA114EDXV6T1G-ND
    NSBA114EDXV6T1GOSTR
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    2 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • आवृत्ति - संक्रमण
    -
  • विस्तृत विवरण
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
  • डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce
    35 @ 5mA, 10V
  • वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)
    500nA
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)
    100mA
  • आधार भाग संख्या
    NSBA1*
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निम्नलिखित "NSBA114EDXV6T1G" संबंधित उत्पाद हैं।
NSB8MTHE3_A/I

NSB8MTHE3_A/I

विवरण: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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NSBA114YDXV6T1G

NSBA114YDXV6T1G

विवरण: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
NSBA114EDXV6T5G

NSBA114EDXV6T5G

विवरण: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NSBA114TF3T5G

NSBA114TF3T5G

विवरण: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NSBA113EDXV6T1

NSBA113EDXV6T1

विवरण: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
NSBA113EDXV6T1G

NSBA113EDXV6T1G

विवरण: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
NSBA114EDXV6T5

NSBA114EDXV6T5

विवरण: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NSBA114EDP6T5G

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विवरण: TRANS 2PNP PREBIAS 0.338W SOT963

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NSBA113EF3T5G

NSBA113EF3T5G

विवरण: TRANS PREBIAS DUAL PNP

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NSBA114YDP6T5G

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विवरण: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
NSBA114TDP6T5G

NSBA114TDP6T5G

विवरण: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
NSBA114TDXV6T1

NSBA114TDXV6T1

विवरण: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
NSB9435T1G

NSB9435T1G

विवरण: TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NSB9703

NSB9703

विवरण: COMMON POINT GND CORD 10MM 10'

निर्माता: Desco
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NSB8MTHE3/45

NSB8MTHE3/45

विवरण: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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NSBA114EF3T5G

NSBA114EF3T5G

विवरण: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NSB8MTHE3/81

NSB8MTHE3/81

विवरण: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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NSBA114TDXV6T5

NSBA114TDXV6T5

विवरण: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NSB8MTHE3_A/P

NSB8MTHE3_A/P

विवरण: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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NSBA114YDXV6T1

NSBA114YDXV6T1

विवरण: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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