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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    NSBC114TF3T5G
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    50V
  • Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी
    250mV @ 1mA, 10mA
  • ट्रांजिस्टर प्रकार
    NPN - Pre-Biased
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    SOT-1123
  • शृंखला
    -
  • प्रतिरोधी - आधार (आर 1)
    10 kOhms
  • पावर - मैक्स
    254mW
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    SOT-1123
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    6 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 254mW Surface Mount SOT-1123
  • डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce
    160 @ 5mA, 10V
  • वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)
    500nA
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)
    100mA
  • आधार भाग संख्या
    NSBC1*
NSBC114TDXV6T1G

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विवरण: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NSBC114EPDXV6T5G

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NSBC114YPDXV6T1G

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NSBC114YF3T5G

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123

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NSBC114YDP6T5G

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विवरण: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NSBC114TPDXV6T1

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

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NSBC114TDP6T5G

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विवरण: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

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NSBC114EPDP6T5G

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विवरण: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT963

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NSBC114TDXV6T1

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विवरण: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

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NSBC114EF3T5G

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123

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NSBC114TDXV6T5G

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NSBC114YDXV6T1G

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NSBC114YPDXV6T1

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NSBC114TDXV6T5

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