NSVMMBT6517LT1G

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विशेष विवरण

भाग संख्या

NSVMMBT6517LT1G
निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

TRANS NPN 350V 0.1A SOT23
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

NSVMMBT6517LT1G.pdf
वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)

350V
Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी

1V @ 5mA, 50mA
ट्रांजिस्टर प्रकार

NPN
प्रदायक डिवाइस पैकेज

SOT-23-3 (TO-236)
शृंखला

-
पावर - मैक्स

225mW
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
आवृत्ति - संक्रमण

200MHz
विस्तृत विवरण

Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 100mA 200MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce

20 @ 50mA, 10V
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)

50nA (ICBO)
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)

100mA

निम्नलिखित "NSVMMBT6517LT1G" संबंधित उत्पाद हैं।

NSVMMBT5087LT1G

विवरण: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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