NSVMUN5212DW1T1G

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विशेष विवरण

भाग संख्या

NSVMUN5212DW1T1G

निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

NSVMUN5212DW1T1G.pdf

वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)

50V

Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी

250mV @ 300µA, 10mA

ट्रांजिस्टर प्रकार

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

SC-88/SC70-6/SOT-363

शृंखला

-

प्रतिरोधी - एमिटर बेस (आर 2)

22 kOhms

प्रतिरोधी - आधार (आर 1)

22 kOhms

पावर - मैक्स

250mW

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

पैकेज / प्रकरण

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

दुसरे नाम

NSVMUN5212DW1T1GOSCT

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

40 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

आवृत्ति - संक्रमण

-

विस्तृत विवरण

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce

60 @ 5mA, 10V

वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)

500nA

वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)

100mA

आधार भाग संख्या

MUN52**DW1T

निम्नलिखित "NSVMUN5212DW1T1G" संबंधित उत्पाद हैं।

NSVMUN5132T1G

विवरण: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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