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NTB23N03RT4G

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विशेष विवरण

भाग संख्या

NTB23N03RT4G
निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

NTB23N03RT4G.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

D2PAK
शृंखला

-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

45 mOhm @ 6A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

37.5W (Tj)
पैकेजिंग

Cut Tape (CT)
पैकेज / प्रकरण

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
दुसरे नाम

NTB23N03RT4GOSCT
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

225pF @ 20V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

3.76nC @ 4.5V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

25V
विस्तृत विवरण

N-Channel 25V 23A (Ta) 37.5W (Tj) Surface Mount D2PAK
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

23A (Ta)

निम्नलिखित "NTB23N03RT4G" संबंधित उत्पाद हैं।

NTB27N06LT4

विवरण: MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK-3

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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