NTD3055L170T4G

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विशेष विवरण

भाग संख्या

NTD3055L170T4G

निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 60V 9A DPAK

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

NTD3055L170T4G.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2V @ 250µA

वीजीएस (मैक्स)

±15V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

DPAK

शृंखला

-

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

170 mOhm @ 4.5A, 5V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

1.5W (Ta), 28.5W (Tj)

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

पैकेज / प्रकरण

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

दुसरे नाम

NTD3055L170T4GOS
NTD3055L170T4GOS-ND
NTD3055L170T4GOSTR

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

13 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

275pF @ 25V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

10nC @ 5V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

5V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

60V

विस्तृत विवरण

N-Channel 60V 9A (Ta) 1.5W (Ta), 28.5W (Tj) Surface Mount DPAK

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

9A (Ta)

निम्नलिखित "NTD3055L170T4G" संबंधित उत्पाद हैं।

NTD3055L170-1G

विवरण: MOSFET N-CH 60V 9A IPAK

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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