NTD4979N-35G

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विशेष विवरण

भाग संख्या

NTD4979N-35G

निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

NTD4979N-35G.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2.5V @ 250µA

वीजीएस (मैक्स)

±20V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

I-PAK

शृंखला

-

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

9 mOhm @ 30A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

1.38W (Ta), 26.3W (Tc)

पैकेजिंग

Tube

पैकेज / प्रकरण

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

4 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

837pF @ 15V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

16.5nC @ 10V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

30V

विस्तृत विवरण

N-Channel 30V 9.4A (Ta), 41A (Tc) 1.38W (Ta), 26.3W (Tc) Through Hole I-PAK

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

9.4A (Ta), 41A (Tc)

निम्नलिखित "NTD4979N-35G" संबंधित उत्पाद हैं।

NTD50N03RT4

विवरण: MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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