NTD6600N-1G

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विशेष विवरण

भाग संख्या

NTD6600N-1G
निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

NTD6600N-1G.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

I-PAK
शृंखला

-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

146 mOhm @ 6A, 5V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
पैकेजिंग

Tube
पैकेज / प्रकरण

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

700pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

20nC @ 5V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

5V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

100V
विस्तृत विवरण

N-Channel 100V 12A (Ta) 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) Through Hole I-PAK
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

12A (Ta)

निम्नलिखित "NTD6600N-1G" संबंधित उत्पाद हैं।

NTD65N03R-035

विवरण: MOSFET N-CH 25V 9.5A IPAK

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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