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NTGS3441BT1G

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विशेष विवरण

भाग संख्या

NTGS3441BT1G
निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

NTGS3441BT1G.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

900mV @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±8V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

6-TSOP
शृंखला

-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

90 mOhm @ 3A, 4.5V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

700mW (Ta)
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

SOT-23-6
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

630pF @ 10V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

9nC @ 4.5V
FET प्रकार

P-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

2.5V, 4.5V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

20V
विस्तृत विवरण

P-Channel 20V 2.2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

2.2A (Ta)

निम्नलिखित "NTGS3441BT1G" संबंधित उत्पाद हैं।

NTGS3441PT1G

विवरण: MOSFET P-CH 20V 1.8A 6-TSOP

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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