NTLJD3181PZTAG

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विशेष विवरण

भाग संख्या

NTLJD3181PZTAG
निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

NTLJD3181PZTAG.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

1V @ 250µA
प्रदायक डिवाइस पैकेज

6-WDFN (2x2)
शृंखला

-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

100 mOhm @ 2A, 4.5V
पावर - मैक्स

710mW
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

6-WDFN Exposed Pad
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

450pF @ 10V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

7.8nC @ 4.5V
FET प्रकार

2 P-Channel (Dual)
FET फ़ीचर

Logic Level Gate
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

20V
विस्तृत विवरण

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.2A 710mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

2.2A

निम्नलिखित "NTLJD3181PZTAG" संबंधित उत्पाद हैं।

NTLJD4150PTBG

विवरण: MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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