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विशेष विवरण

भाग संख्या

NTLJS4114NT1G

निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WDFN

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

NTLJS4114NT1G.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

1V @ 250µA

वीजीएस (मैक्स)

±12V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

6-WDFN (2x2)

शृंखला

µCool™

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

35 mOhm @ 2A, 4.5V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

700mW (Ta)

पैकेजिंग

Original-Reel®

पैकेज / प्रकरण

6-WDFN Exposed Pad

दुसरे नाम

NTLJS4114NT1GOSDKR

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

25 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

650pF @ 15V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

13nC @ 4.5V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

1.8V, 4.5V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

30V

विस्तृत विवरण

N-Channel 30V 3.6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

3.6A (Ta)

निम्नलिखित "NTLJS4114NT1G" संबंधित उत्पाद हैं।

NTLUD3191PZTBG

विवरण: MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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