NTLUS3A39PZTBG

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विशेष विवरण

भाग संख्या

NTLUS3A39PZTBG

निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

NTLUS3A39PZTBG.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

1V @ 250µA

वीजीएस (मैक्स)

±8V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

6-UDFN (1.6x1.6)

शृंखला

µCool™

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

39 mOhm @ 4A, 4.5V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

600mW (Ta)

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

पैकेज / प्रकरण

6-PowerUFDFN

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

6 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

920pF @ 15V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

10.4nC @ 4.5V

FET प्रकार

P-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

1.5V, 4.5V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

20V

विस्तृत विवरण

P-Channel 20V 3.4A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 6-UDFN (1.6x1.6)

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

3.4A (Ta)

निम्नलिखित "NTLUS3A39PZTBG" संबंधित उत्पाद हैं।

NTLUS3A40PZCTBG

विवरण: MOSFET P-CH 20V 6.4A UDFN

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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