NTMFD5C680NLT1G

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विशेष विवरण

भाग संख्या

NTMFD5C680NLT1G

निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

T6 60V LL SO8FL DUAL

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

डाटा शीट

NTMFD5C680NLT1G.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2.2V @ 13µA

प्रदायक डिवाइस पैकेज

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

शृंखला

-

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

28 mOhm @ 5A, 10V

पावर - मैक्स

3W (Ta), 19W (Tc)

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

पैकेज / प्रकरण

8-PowerTDFN

दुसरे नाम

NTMFD5C680NLT1GOSCT

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

50 Weeks

लीड फ्री स्टेटस

Lead free

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

350pF @ 25V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

5nC @ 10V

FET प्रकार

2 N-Channel (Dual)

FET फ़ीचर

Standard

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

60V

विस्तृत विवरण

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 7.5A (Ta), 26A (Tc) 3W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

7.5A (Ta), 26A (Tc)

निम्नलिखित "NTMFD5C680NLT1G" संबंधित उत्पाद हैं।

NTMFD5C446NLT1G

विवरण: T6 40V LL S08FL DS

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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अग्रिम पंजीकरण

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