NTMFS4836NT1G

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विशेष विवरण

भाग संख्या

NTMFS4836NT1G
निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

NTMFS4836NT1G.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2.5V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

5-DFN (5x6) (8-SOFL)
शृंखला

-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

4 mOhm @ 30A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

890mW (Ta), 55.6W (Tc)
पैकेजिंग

Cut Tape (CT)
पैकेज / प्रकरण

8-PowerTDFN, 5 Leads
दुसरे नाम

NTMFS4836NT1GOSCT
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

2677pF @ 12V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

28nC @ 4.5V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 11.5V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

30V
विस्तृत विवरण

N-Channel 30V 11A (Ta), 90A (Tc) 890mW (Ta), 55.6W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

11A (Ta), 90A (Tc)

निम्नलिखित "NTMFS4836NT1G" संबंधित उत्पाद हैं।

NTMFS4839NHT1G

विवरण: MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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अग्रिम पंजीकरण

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