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NTMFS4H02NFT1G

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विशेष विवरण

भाग संख्या

NTMFS4H02NFT1G

निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

NTMFS4H02NFT1G.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2.1V @ 250µA

वीजीएस (मैक्स)

±20V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

शृंखला

-

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

1.4 mOhm @ 30A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

3.13W (Ta), 83W (Tc)

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

पैकेज / प्रकरण

8-PowerTDFN

परिचालन तापमान

150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

52 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

2652pF @ 12V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

40.9nC @ 10V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

25V

विस्तृत विवरण

N-Channel 25V 37A (Ta), 193A (Tc) 3.13W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

37A (Ta), 193A (Tc)

निम्नलिखित "NTMFS4H02NFT1G" संबंधित उत्पाद हैं।

NTMFS4H02NT1G

विवरण: MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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