NTR4171PT1G

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विशेष विवरण

भाग संख्या

NTR4171PT1G

निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

NTR4171PT1G.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

1.4V @ 250µA

वीजीएस (मैक्स)

±12V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

SOT-23-3 (TO-236)

शृंखला

-

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

75 mOhm @ 2.2A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

480mW (Ta)

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

पैकेज / प्रकरण

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

दुसरे नाम

NTR4171PT1G-ND
NTR4171PT1GOSTR

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

49 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

720pF @ 15V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

15.6nC @ 10V

FET प्रकार

P-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

2.5V, 10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

30V

विस्तृत विवरण

P-Channel 30V 2.2A (Ta) 480mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

2.2A (Ta)

निम्नलिखित "NTR4171PT1G" संबंधित उत्पाद हैं।

NTR4501NST1G

विवरण: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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