NTTFS3A08PZTWG

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विशेष विवरण

भाग संख्या

NTTFS3A08PZTWG

निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET P-CH 20V 14A U8FL

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

NTTFS3A08PZTWG.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

1V @ 250µA

वीजीएस (मैक्स)

±8V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

8-WDFN (3.3x3.3)

शृंखला

-

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

6.7 mOhm @ 12A, 4.5V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

840mW (Ta)

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

पैकेज / प्रकरण

8-PowerWDFN

दुसरे नाम

NTTFS3A08PZTWGOSCT

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

40 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

5000pF @ 10V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

56nC @ 4.5V

FET प्रकार

P-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

2.5V, 4.5V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

20V

विस्तृत विवरण

P-Channel 20V 9A (Ta) 840mW (Ta) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

9A (Ta)

निम्नलिखित "NTTFS3A08PZTWG" संबंधित उत्पाद हैं।

NTT557AG

विवरण: IC CHIP

निर्माता: Pulse Electronics Corporation

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