NVD5890NT4G

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विशेष विवरण

भाग संख्या

NVD5890NT4G

निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi

शेयर मात्रा

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विवरण

MOSFET N-CH 40V 100A DPAK

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

NVD5890NT4G.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

3.5V @ 250µA

वीजीएस (मैक्स)

±20V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

DPAK

शृंखला

-

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

3.7 mOhm @ 50A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

4W (Ta), 107W (Tc)

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

पैकेज / प्रकरण

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

दुसरे नाम

NVD5890NT4G-VF01
NVD5890NT4G-VF01-ND

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

4 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

4760pF @ 25V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

100nC @ 10V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

40V

विस्तृत विवरण

N-Channel 40V 24A (Ta), 123A (Tc) 4W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount DPAK

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

24A (Ta), 123A (Tc)

निम्नलिखित "NVD5890NT4G" संबंधित उत्पाद हैं।

NVD5867NLT4G-TB01

विवरण: MOSFET N-CH 60V 22A DPAK DPAK

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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