NVMFD5C470NLT1G

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विशेष विवरण

भाग संख्या

NVMFD5C470NLT1G

निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET 2N-CH 40V 36A S08FL

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

NVMFD5C470NLT1G.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2.2V @ 20µA

प्रदायक डिवाइस पैकेज

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

शृंखला

Automotive, AEC-Q101

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

11.5 mOhm @ 5A, 10V

पावर - मैक्स

3W (Ta), 24W (Tc)

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

पैकेज / प्रकरण

8-PowerTDFN

दुसरे नाम

NVMFD5C470NLT1G-ND
NVMFD5C470NLT1GOSTR

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

50 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

590pF @ 25V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

4nC @ 4.5V

FET प्रकार

2 N-Channel (Dual)

FET फ़ीचर

Standard

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

40V

विस्तृत विवरण

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 11A (Ta), 36A (Tc) 3W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

11A (Ta), 36A (Tc)

निम्नलिखित "NVMFD5C470NLT1G" संबंधित उत्पाद हैं।

NVMFD5C650NLWFT1G

विवरण: MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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