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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    NVMFS5A160PLZWFT3G
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    -60V7.7MOHMSINGLE
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
  • डाटा शीट
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    2.6V @ 1mA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±20V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • शृंखला
    Automotive, AEC-Q101
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    7.7 mOhm @ 50A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    3.8W (Ta), 200W (Tc)
  • पैकेज / प्रकरण
    8-PowerTDFN, 5 Leads
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • लीड फ्री स्टेटस
    Lead free
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    7700pF @ 20V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    160nC @ 10V
  • FET प्रकार
    P-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    4.5V, 10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    60V
  • विस्तृत विवरण
    P-Channel 60V 15A (Ta), 100A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    15A (Ta), 100A (Tc)
NVMFS5C404NLT3G

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विवरण: MOSFET N-CH 40V 49A SO8FL

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विवरण: MOSFET N-CH 60V 39A SO8FL

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विवरण: MOSFET N-CH 60V 39A SO8FL

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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विवरण: MOSFET N-CH 60V 39A SO8FL

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विवरण: MOSFET N-CH 40V 53A 378A 5DFN

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