NVMFS5C430NLWFT1G

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विशेष विवरण

भाग संख्या

NVMFS5C430NLWFT1G

निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi

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स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 40V 200A SO8FL

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

NVMFS5C430NLWFT1G.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2V @ 250µA

वीजीएस (मैक्स)

±20V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

शृंखला

-

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

1.5 mOhm @ 50A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

3.8W (Ta), 110W (Tc)

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

पैकेज / प्रकरण

8-PowerTDFN

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

4300pF @ 20V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

70nC @ 10V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

40V

विस्तृत विवरण

N-Channel 40V 3.8W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

-

निम्नलिखित "NVMFS5C430NLWFT1G" संबंधित उत्पाद हैं।

NVMFS5C430NWFAFT1G

विवरण: MOSFET N-CH 40V 35A 185A 5DFN

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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