NVTFS5116PLTWG

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विशेष विवरण

भाग संख्या

NVTFS5116PLTWG

निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET P-CH 60V 14A 8WDFN

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

NVTFS5116PLTWG.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

3V @ 250µA

वीजीएस (मैक्स)

±20V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

8-WDFN (3.3x3.3)

शृंखला

-

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

52 mOhm @ 7A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

3.2W (Ta), 21W (Tc)

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

पैकेज / प्रकरण

8-PowerWDFN

दुसरे नाम

NVTFS5116PLTWGOSCT

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

50 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1258pF @ 25V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

25nC @ 10V

FET प्रकार

P-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

60V

विस्तृत विवरण

P-Channel 60V 6A (Ta) 3.2W (Ta), 21W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

6A (Ta)

निम्नलिखित "NVTFS5116PLTWG" संबंधित उत्पाद हैं।

NVTFS4C13NTWG

विवरण: MOSFET N-CH 30V 40A U8FL

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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