NXH80T120L2Q0SG

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विशेष विवरण

भाग संख्या

NXH80T120L2Q0SG
निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MODULE PIM 80A 1200V PIM20
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

NXH80T120L2Q0SG.pdf
वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)

1200V
Vce (पर) (मैक्स) @ Vge, आईसी

2.8V @ 15V, 80A
प्रदायक डिवाइस पैकेज

20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
शृंखला

-
पावर - मैक्स

146W
पैकेज / प्रकरण

Module
परिचालन तापमान

-40°C ~ 150°C (TJ)
एनटीसी Thermistor

Yes
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट समाई (CIES) @ Vce

1.99nF @ 20V
इनपुट

Standard
आईजीबीटी प्रकार

-
विस्तृत विवरण

IGBT Module T-Type 1200V 65A 146W Through Hole 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)

100µA
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)

65A
विन्यास

T-Type

निम्नलिखित "NXH80T120L2Q0SG" संबंधित उत्पाद हैं।

FF300R07KE4HOSA1

विवरण: IGBT MODULE VCES 600V 300A

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)

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अग्रिम पंजीकरण

NXH80T120L2Q0SG

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