SMMUN2213LT1G

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विशेष विवरण

भाग संख्या

SMMUN2213LT1G

निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi

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स्टॉक में

विवरण

TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

SMMUN2213LT1G.pdf

वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)

50V

Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी

250mV @ 300µA, 10mA

ट्रांजिस्टर प्रकार

NPN - Pre-Biased

प्रदायक डिवाइस पैकेज

SOT-23-3 (TO-236)

शृंखला

-

प्रतिरोधी - एमिटर बेस (आर 2)

47 kOhms

प्रतिरोधी - आधार (आर 1)

47 kOhms

पावर - मैक्स

246mW

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

पैकेज / प्रकरण

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

दुसरे नाम

SMMUN2213LT1G-ND
SMMUN2213LT1GOSTR

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

36 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

विस्तृत विवरण

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce

80 @ 5mA, 10V

वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)

500nA

वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)

100mA

आधार भाग संख्या

MMUN22**L

निम्नलिखित "SMMUN2213LT1G" संबंधित उत्पाद हैं।

SMMUN2113LT1G

विवरण: TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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