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AS4C128M16D3-12BCNTR

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    AS4C128M16D3-12BCNTR
  • निर्माता / ब्रांड
    Alliance Memory, Inc.
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    AS4C128M16D3-12BCNTR.pdf
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    15ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.425 V ~ 1.575 V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM - DDR3
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    96-FBGA (13x9)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    96-TFBGA
  • परिचालन तापमान
    0°C ~ 95°C (TC)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    2Gb (128M x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 800MHz 20ns 96-FBGA (13x9)
  • घड़ी आवृत्ति
    800MHz
  • अभिगम समय
    20ns
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  • शिपिंग
  • भुगतान

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AS4C128M16D3-12BANTR

AS4C128M16D3-12BANTR

विवरण: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

निर्माता: Alliance Memory, Inc.
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AS4C128M16D2A-25BCN

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विवरण: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

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AS4C128M16D2-25BIN

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विवरण: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

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AS4C128M16D3-12BAN

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विवरण: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

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AS4C128M16D3B-12BCN

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विवरण: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

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AS4C128M16D3A-12BCN

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AS4C128M16D2-25BCNTR

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विवरण: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

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AS4C128M16D3A-12BIN

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AS4C128M16D3A-12BINTR

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AS4C128M16D3A-12BAN

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AS4C128M16D2A-25BINTR

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AS4C128M16D3-12BIN

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AS4C128M16D3A-12BCNTR

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AS4C128M16D3-12BCN

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AS4C128M16D3B-12BCNTR

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