AS4C64M16MD1-5BCNTR

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विशेष विवरण

भाग संख्या

AS4C64M16MD1-5BCNTR
निर्माता / ब्रांड

Alliance Memory, Inc.
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

AS4C64M16MD1-5BCNTR.pdf
लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ

15ns
वोल्टेज आपूर्ति

1.7 V ~ 1.95 V
प्रौद्योगिकी

SDRAM - Mobile LPDDR
प्रदायक डिवाइस पैकेज

60-FBGA (8x10)
शृंखला

-
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

60-TFBGA
परिचालन तापमान

-25°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

3 (168 Hours)
स्मृति के प्रकार

Volatile
मेमोरी का आकार

1Gb (64M x 16)
मेमोरी इंटरफेस

Parallel
मेमोरी प्रारूप

DRAM
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
विस्तृत विवरण

SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 200MHz 5ns 60-FBGA (8x10)
घड़ी आवृत्ति

200MHz
अभिगम समय

5ns

निम्नलिखित "AS4C64M16MD1-5BCNTR" संबंधित उत्पाद हैं।

AS4C64M16MD2-25BCNTR

विवरण: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

निर्माता: Alliance Memory, Inc.

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