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4396550AS6C2008-55SIN छविAlliance Memory, Inc.

AS6C2008-55SIN

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    AS6C2008-55SIN
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC SRAM 2M PARALLEL 32SOP
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    55ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.7 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    SRAM - Asynchronous
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    32-SOP
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    32-SOIC (0.445", 11.30mm Width)
  • दुसरे नाम
    1450-1172-5
    AS6C2008-55SIN-ND
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    2Mb (256K x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    SRAM
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    8 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SRAM - Asynchronous Memory IC 2Mb (256K x 8) Parallel 55ns 32-SOP
  • अभिगम समय
    55ns
AS6C2008-55SINTR

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विवरण: IC SRAM 2M PARALLEL 32SOP

निर्माता: Alliance Memory, Inc.
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विवरण: IC SRAM 2M PARALLEL 36TFBGA

निर्माता: Alliance Memory, Inc.
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विवरण: IC SRAM 16M PARALLEL 48TFBGA

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विवरण: IC SRAM 2M PARALLEL 36TFBGA

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AS6C2008A-55SIN

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विवरण: IC SRAM 2M PARALLEL 32SOP

निर्माता: Alliance Memory, Inc.
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विवरण: IC SRAM 2M PARALLEL 36TFBGA

निर्माता: Alliance Memory, Inc.
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AS6C2008-55STINTR

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