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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    BLP10H605Z
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - टेस्ट
    50V
  • वोल्टेज - रेटेड
    104V
  • ट्रांजिस्टर प्रकार
    LDMOS (Dual), Common Source
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    12-HVSON (6x5)
  • शृंखला
    -
  • बिजली उत्पादन
    5W
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    12-VDFN Exposed Pad
  • दुसरे नाम
    934068214515
  • शोर का आंकड़ा
    -
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    13 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • लाभ
    22.4dB
  • आवृत्ति
    860MHz
  • विस्तृत विवरण
    RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 30mA 860MHz 22.4dB 5W 12-HVSON (6x5)
  • वर्तमान मूल्यांकन
    -
  • वर्तमान - टेस्ट
    30mA
BLP10H605AZ

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विवरण: RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN

निर्माता: Ampleon
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BLP10H603AZ

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BLP05H635XRGY

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विवरण: RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242

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BLP10H690PY

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विवरण: RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF

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BLP10H603Z

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विवरण: RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN

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BLP05H675XRY

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विवरण: RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232

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BLP10H660PY

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विवरण: RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF

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BLP05H635XRY

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विवरण: RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232

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BLP05H6700XRGY

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विवरण: RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP

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BLP10H6120PGY

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विवरण: RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP

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विवरण: RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP

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BLP10H6120PY

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विवरण: RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF

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BLP05H6700XRY

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विवरण: RF MOSFET LDMOS 50V SOT1138-2

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BLP05H675XRGY

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विवरण: RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242

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BLP10H610Z

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विवरण: RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN

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विवरण: RF FET LDMOS 65V 21DB SOT1140

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