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CY14B104L-ZS20XIT

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    CY14B104L-ZS20XIT
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    20ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.7 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    44-TSOP II
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    4Mb (512K x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    NVSRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (512K x 8) Parallel 20ns 44-TSOP II
  • आधार भाग संख्या
    CY14B104
  • अभिगम समय
    20ns
CY14B104L-ZS25XIT

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विवरण: IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

निर्माता: Cypress Semiconductor
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CY14B104L-ZS20XCT

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निर्माता: Cypress Semiconductor
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CY14B104L-ZS25XC

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विवरण: IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

निर्माता: Cypress Semiconductor
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निर्माता: Cypress Semiconductor
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CY14B104L-BA45XC

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CY14B104L-ZS45XIT

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CY14B104L-ZS45XC

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CY14B104LA-BA25XIT

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CY14B104L-ZS45XI

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CY14B104L-ZS25XI

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CY14B104L-ZS25XCT

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