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CY7C1062GN30-10BGXI

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    CY7C1062GN30-10BGXI
  • निर्माता / ब्रांड
    Cypress Semiconductor
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC SRAM 16M PARALLEL
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    10ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.2 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    SRAM - Asynchronous
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    119-PBGA (14x22)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    119-BBGA
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    16Mb (512K x 32)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    SRAM
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    12 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SRAM - Asynchronous Memory IC 16Mb (512K x 32) Parallel 10ns 119-PBGA (14x22)
  • अभिगम समय
    10ns
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CY7C1062GN30-10BGXIT

CY7C1062GN30-10BGXIT

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CY7C1069AV33-10ZXC

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CY7C1062GE30-10BGXI

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CY7C1069AV33-12ZXC

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CY7C1062DV33-10BGIT

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CY7C1062G30-10BGXIT

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