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CY7C1312BV18-200BZC

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विशेष विवरण

भाग संख्या

CY7C1312BV18-200BZC
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
डाटा शीट

CY7C1312BV18-200BZC.pdf
लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ

-
वोल्टेज आपूर्ति

1.7 V ~ 1.9 V
प्रौद्योगिकी

SRAM - Synchronous, QDR II
प्रदायक डिवाइस पैकेज

165-FBGA (13x15)
शृंखला

-
पैकेजिंग

Tray
पैकेज / प्रकरण

165-LBGA
परिचालन तापमान

0°C ~ 70°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

3 (168 Hours)
स्मृति के प्रकार

Volatile
मेमोरी का आकार

18Mb (1M x 18)
मेमोरी इंटरफेस

Parallel
मेमोरी प्रारूप

SRAM
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Contains lead / RoHS non-compliant
विस्तृत विवरण

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 200MHz 165-FBGA (13x15)
घड़ी आवृत्ति

200MHz
आधार भाग संख्या

CY7C1312

निम्नलिखित "CY7C1312BV18-200BZC" संबंधित उत्पाद हैं।

CY7C1312CV18-167BZI

विवरण: IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

निर्माता: Cypress Semiconductor

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अग्रिम पंजीकरण

CY7C1312BV18-200BZC

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