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CY7C1314KV18-300BZXC

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    CY7C1314KV18-300BZXC
  • निर्माता / ब्रांड
    Cypress Semiconductor
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    CY7C1314KV18-300BZXC.pdf
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.7 V ~ 1.9 V
  • प्रौद्योगिकी
    SRAM - Synchronous, QDR II
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    165-FBGA (13x15)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    165-LBGA
  • परिचालन तापमान
    0°C ~ 70°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    18Mb (512K x 36)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    SRAM
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    15 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 300MHz 165-FBGA (13x15)
  • घड़ी आवृत्ति
    300MHz
  • आधार भाग संख्या
    CY7C1314
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  • शिपिंग
  • भुगतान

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CY7C1314KV18-250BZXCT

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CY7C1314SV18-200BZC

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CY7C1315BV18-200BZC

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CY7C1314KV18-250BZI

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CY7C1314CV18-250BZC

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CY7C1314SV18-250BZC

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CY7C1314KV18-250BZCT

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CY7C1314CV18-200BZC

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CY7C1314KV18-250BZXC

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CY7C1314KV18-333BZC

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CY7C1315BV18-167BZCT

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CY7C1315BV18-200BZXC

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CY7C1315BV18-167BZC

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CY7C1315BV18-200BZI

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CY7C1314JV18-250BZXC

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CY7C1314TV18-167BZC

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CY7C1314KV18-250BZXI

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CY7C1314CV18-200BZI

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