CY7C1911UV18-300BZC

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विशेष विवरण

भाग संख्या

CY7C1911UV18-300BZC

निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है

लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ

-

वोल्टेज आपूर्ति

1.7 V ~ 1.9 V

प्रौद्योगिकी

SRAM - Synchronous, QDR II

प्रदायक डिवाइस पैकेज

165-FBGA (13x15)

शृंखला

-

पैकेजिंग

Tray

पैकेज / प्रकरण

165-LBGA

परिचालन तापमान

0°C ~ 70°C (TA)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

3 (168 Hours)

स्मृति के प्रकार

Volatile

मेमोरी का आकार

18Mb (2M x 9)

मेमोरी इंटरफेस

Parallel

मेमोरी प्रारूप

SRAM

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Contains lead / RoHS non-compliant

विस्तृत विवरण

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb (2M x 9) Parallel 300MHz 165-FBGA (13x15)

घड़ी आवृत्ति

300MHz

आधार भाग संख्या

CY7C1911

निम्नलिखित "CY7C1911UV18-300BZC" संबंधित उत्पाद हैं।

CY7C1911KV18-300BZXC

विवरण: IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

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