IS29GL512S-11DHB020

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IS29GL512S-11DHB020
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

IC FLASH 512M PARALLEL
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ

60ns
वोल्टेज आपूर्ति

2.7 V ~ 3.6 V
प्रौद्योगिकी

FLASH - NOR
प्रदायक डिवाइस पैकेज

64-Fortified BGA (9x9)
शृंखला

GL-S
पैकेजिंग

Tray
पैकेज / प्रकरण

64-LBGA
परिचालन तापमान

-40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

3 (168 Hours)
स्मृति के प्रकार

Non-Volatile
मेमोरी का आकार

512Mb (64M x 8)
मेमोरी इंटरफेस

Parallel
मेमोरी प्रारूप

FLASH
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
विस्तृत विवरण

FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 110ns 64-Fortified BGA (9x9)
अभिगम समय

110ns

निम्नलिखित "IS29GL512S-11DHB020" संबंधित उत्पाद हैं।

IS29GL512S-11DHB01-TR

विवरण: IC FLASH 512M PARALLEL

निर्माता: Cypress Semiconductor

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