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S29GL512T11DHIV23

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    S29GL512T11DHIV23
  • निर्माता / ब्रांड
    Cypress Semiconductor
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    S29GL512T11DHIV23.pdf
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    60ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.65 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    FLASH - NOR
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    64-FBGA (9x9)
  • शृंखला
    GL-T
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    64-LBGA
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    512Mb (64M x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    FLASH
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 110ns 64-FBGA (9x9)
  • अभिगम समय
    110ns
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S29GL512T11DHV023

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विवरण: IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

निर्माता: Cypress Semiconductor
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S29GL512T11FAIV23

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S29GL512T11DHB010

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S29GL512T11DHIV13

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S29GL512T11DHV020

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S29GL512T10TFI040

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S29GL512T11DHIV20

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S29GL512T10TFI033

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S29GL512T10TFI043

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विवरण: IC NOR

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S29GL512T11FAIV10

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S29GL512T11DHB013

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S29GL512T11DHB023

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विवरण: IC 512M FLASH MEMORY

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विवरण: IC 512 MB FLASH MEMORY

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S29GL512T11DHB020

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S29GL512T11FHIV10

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