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S29VS256RABBHI010

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    S29VS256RABBHI010
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC FLASH 256M PARALLEL 44FBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    60ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.7 V ~ 1.95 V
  • प्रौद्योगिकी
    FLASH - NOR
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    44-FBGA (7.5x5)
  • शृंखला
    VS-R
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    44-VFBGA
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    256Mb (16M x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    FLASH
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    22 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    FLASH - NOR Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 108MHz 80ns 44-FBGA (7.5x5)
  • घड़ी आवृत्ति
    108MHz
  • अभिगम समय
    80ns
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विवरण: IC FLASH 256M PARALLEL 44FBGA

निर्माता: Cypress Semiconductor
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विवरण: IC FLASH 64M PARALLEL 84FBGA

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विवरण: IC FLASH 128M PARALLEL 44FBGA

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विवरण: IC MEMORY NOR

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