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DMJ70H600SH3

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    DMJ70H600SH3
  • निर्माता / ब्रांड
    Diodes Incorporated
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड / आरओएचएस के अनुरूप है
  • डाटा शीट
    DMJ70H600SH3.pdf
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    4V @ 250µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±30V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TO-251
  • शृंखला
    Automotive, AEC-Q101
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    600 mOhm @ 2.4A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    113W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-251-3, IPak, Short Leads
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    8 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Contains lead / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    643pF @ 25V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    18.2nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    700V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 700V 11A (Tc) 113W (Tc) Through Hole TO-251
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    11A (Tc)
  • सम्बंधित खबर
  • शिपिंग
  • भुगतान

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निम्नलिखित "DMJ70H600SH3" संबंधित उत्पाद हैं।
DMJ70H601SV3

DMJ70H601SV3

विवरण: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMJ70H900HJ3

DMJ70H900HJ3

विवरण: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
IXTK40P50P

IXTK40P50P

विवरण: MOSFET P-CH 500V 40A TO-264

निर्माता: IXYS Corporation
स्टॉक में
RFQ
DMJ70H1D3SI3

DMJ70H1D3SI3

विवरण: MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMP4050SSS-13

DMP4050SSS-13

विवरण: MOSFET P-CH 40V 4.4A 8SO

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMJT9435-13

DMJT9435-13

विवरण: TRANS PNP 30V 3A SOT-223

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMJ70H1D3SJ3

DMJ70H1D3SJ3

विवरण: MOSFET N-CH TO251

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
ZVP2120ASTZ

ZVP2120ASTZ

विवरण: MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
SQD90P04-9M4L_GE3

SQD90P04-9M4L_GE3

विवरण: MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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APT12M80B

APT12M80B

विवरण: MOSFET N-CH 800V 13A TO-247

निर्माता: Microsemi
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DMJ70H601SK3-13

DMJ70H601SK3-13

विवरण: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMJ2833-000

DMJ2833-000

विवरण: DIODE SCHOTTKY 0.1A 0.075W 3-PIN

निर्माता: Skyworks Solutions, Inc.
स्टॉक में
RFQ
DMJ70H1D3SH3

DMJ70H1D3SH3

विवरण: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMJ70H1D0SV3

DMJ70H1D0SV3

विवरण: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMJ70H1D4SV3

DMJ70H1D4SV3

विवरण: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMJ7N70SK3-13

DMJ7N70SK3-13

विवरण: MOSFET N-CH 700V 3.9A

निर्माता: Diodes Incorporated
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RFQ
IPS04N03LB G

IPS04N03LB G

विवरण: MOSFET N-CH 30V 50A IPAK

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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FDS7066N7

FDS7066N7

विवरण: MOSFET N-CH 30V 23A 8-SOIC

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FDMS2504SDC

FDMS2504SDC

विवरण: MOSFET N-CH 25V 42A POWER56

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
DMJ70H1D5SV3

DMJ70H1D5SV3

विवरण: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

निर्माता: Diodes Incorporated
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