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4398200DMT6005LSS-13 छविDiodes Incorporated

DMT6005LSS-13

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    DMT6005LSS-13
  • निर्माता / ब्रांड
    Diodes Incorporated
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    DMT6005LSS-13.pdf
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    3V @ 250µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±20V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    8-SO
  • शृंखला
    -
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    6 mOhm @ 20A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    1.3W (Ta)
  • पैकेजिंग
    Cut Tape (CT)
  • पैकेज / प्रकरण
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • दुसरे नाम
    DMT6005LSS-13DICT
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    32 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    2962pF @ 30V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    47.1nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    4.5V, 10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    60V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 60V 13.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    13.5A (Ta)
  • सम्बंधित खबर
  • शिपिंग
  • भुगतान

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निम्नलिखित "DMT6005LSS-13" संबंधित उत्पाद हैं।
DMT6009LK3-13

DMT6009LK3-13

विवरण: MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMT6009LFG-7

DMT6009LFG-7

विवरण: MOSFET N-CH 60V 11A

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMT6008LFG-7

DMT6008LFG-7

विवरण: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMT6004SPS-13

DMT6004SPS-13

विवरण: MOSFET N-CH 60V 23A POWERDI5060

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMT6005LCT

DMT6005LCT

विवरण: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMT6007LFG-13

DMT6007LFG-13

विवरण: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMT6002LPS-13

DMT6002LPS-13

विवरण: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMT4S1K-F

DMT4S1K-F

विवरण: CAP FILM 10000PF 10% 400VDC RAD

निर्माता: Cornell Dubilier Electronics
स्टॉक में
RFQ
DMT6009LCT

DMT6009LCT

विवरण: MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMT4P22K-F

DMT4P22K-F

विवरण: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

निर्माता: Cornell Dubilier Electronics
स्टॉक में
RFQ
DMT5015LFDF-7

DMT5015LFDF-7

विवरण: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMT6009LFG-13

DMT6009LFG-13

विवरण: MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMT6004SCT

DMT6004SCT

विवरण: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMT6008LFG-13

DMT6008LFG-13

विवरण: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMT6004LPS-13

DMT6004LPS-13

विवरण: MOSFET N-CH 60V 22A

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMT6009LPS-13

DMT6009LPS-13

विवरण: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMT5015LFDF-13

DMT5015LFDF-13

विवरण: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMT6005LPS-13

DMT6005LPS-13

विवरण: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMT6007LFG-7

DMT6007LFG-7

विवरण: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMT6009LSS-13

DMT6009LSS-13

विवरण: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
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