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DMT6010LSS-13

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    DMT6010LSS-13
  • निर्माता / ब्रांड
    Diodes Incorporated
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    DMT6010LSS-13.pdf
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    2V @ 250µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±20V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    8-SO
  • शृंखला
    -
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    8 mOhm @ 20A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    1.5W (Ta)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • दुसरे नाम
    DMT6010LSS-13DITR
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    32 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    2090pF @ 30V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    41.3nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    4.5V, 10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    60V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 60V 14A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    14A (Ta)
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निम्नलिखित "DMT6010LSS-13" संबंधित उत्पाद हैं।
DMT6009LFG-7

DMT6009LFG-7

विवरण: MOSFET N-CH 60V 11A

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMT6016LFDF-13

DMT6016LFDF-13

विवरण: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMT6009LSS-13

DMT6009LSS-13

विवरण: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMT6009LFG-13

DMT6009LFG-13

विवरण: MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-

निर्माता: Diodes Incorporated
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DMT6012LPS-13

DMT6012LPS-13

विवरण: MOSFET N-CH 60V POWERDI

निर्माता: Diodes Incorporated
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DMT6010LFG-13

DMT6010LFG-13

विवरण: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

निर्माता: Diodes Incorporated
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DMT6009LK3-13

DMT6009LK3-13

विवरण: MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252

निर्माता: Diodes Incorporated
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DMT6010LFG-7

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विवरण: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

निर्माता: Diodes Incorporated
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DMT6008LFG-7

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विवरण: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

निर्माता: Diodes Incorporated
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DMT6009LCT

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विवरण: MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB

निर्माता: Diodes Incorporated
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DMT6016LFDF-7

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विवरण: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

निर्माता: Diodes Incorporated
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RFQ
DMT6009LPS-13

DMT6009LPS-13

विवरण: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

निर्माता: Diodes Incorporated
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RFQ
DMT6016LPS-13

DMT6016LPS-13

विवरण: MOSFET N-CH 60V 10.6A POWERDI

निर्माता: Diodes Incorporated
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DMT6012LSS-13

DMT6012LSS-13

विवरण: MOSFET N-CH 60V8SOIC

निर्माता: Diodes Incorporated
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DMT6015LFV-13

DMT6015LFV-13

विवरण: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

निर्माता: Diodes Incorporated
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DMT6010SCT

DMT6010SCT

विवरण: MOSFET N-CHA 60V 98A TO220

निर्माता: Diodes Incorporated
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DMT6015LFV-7

DMT6015LFV-7

विवरण: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

निर्माता: Diodes Incorporated
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RFQ
DMT6010LPS-13

DMT6010LPS-13

विवरण: MOSFET N-CH 60V 13.5A

निर्माता: Diodes Incorporated
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RFQ
DMT6015LPS-13

DMT6015LPS-13

विवरण: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506

निर्माता: Diodes Incorporated
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DMT6015LSS-13

DMT6015LSS-13

विवरण: MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8

निर्माता: Diodes Incorporated
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