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DMTH10H010LCTB-13

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    DMTH10H010LCTB-13
  • निर्माता / ब्रांड
    Diodes Incorporated
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    3.5V @ 250µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±20V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TO-220AB
  • शृंखला
    Automotive, AEC-Q101
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    9.5 mOhm @ 13A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    2.4W (Ta), 166W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-220-3
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    16 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    2592pF @ 50V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    53.7nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    100V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 100V 108A (Tc) 2.4W (Ta), 166W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    108A (Tc)
  • सम्बंधित खबर
  • शिपिंग
  • भुगतान

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निम्नलिखित "DMTH10H010LCTB-13" संबंधित उत्पाद हैं।
DMTH3004LK3-13

DMTH3004LK3-13

विवरण: MOSFET N-CH 30V 21A TO252

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMTH10H005LCT

DMTH10H005LCT

विवरण: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMT8012LFG-13

DMT8012LFG-13

विवरण: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMTH10H010SPS-13

DMTH10H010SPS-13

विवरण: MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMTH10H015LK3-13

DMTH10H015LK3-13

विवरण: MOSFET NCH 100V 52.5A TO252

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMT6P1K

DMT6P1K

विवरण: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

निर्माता: Cornell Dubilier Electronics
स्टॉक में
RFQ
DMT8012LSS-13

DMT8012LSS-13

विवरण: MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8

निर्माता: Diodes Incorporated
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RFQ
DMTH10H030LK3-13

DMTH10H030LK3-13

विवरण: MOSFET NCH 100V 28A TO252

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMTH3002LPS-13

DMTH3002LPS-13

विवरण: MOSFET NCH 30V 100A POWERDI

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMTH10H010LCT

DMTH10H010LCT

विवरण: MOSFET 100V 108A TO220AB

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMT6P1K-F

DMT6P1K-F

विवरण: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

निर्माता: Cornell Dubilier Electronics
स्टॉक में
RFQ
DMT8012LPS-13

DMT8012LPS-13

विवरण: MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMT8012LK3-13

DMT8012LK3-13

विवरण: MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252

निर्माता: Diodes Incorporated
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RFQ
DMT8012LFG-7

DMT8012LFG-7

विवरण: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

निर्माता: Diodes Incorporated
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RFQ
DMTH10H005SCT

DMTH10H005SCT

विवरण: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMTH10H025LK3-13

DMTH10H025LK3-13

विवरण: MOSFET NCH 100V TO252

निर्माता: Diodes Incorporated
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RFQ
DMTH10H010SPSQ-13

DMTH10H010SPSQ-13

विवरण: MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50

निर्माता: Diodes Incorporated
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RFQ
DMTH3004LPS-13

DMTH3004LPS-13

विवरण: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

निर्माता: Diodes Incorporated
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RFQ
DMTH3004LK3Q-13

DMTH3004LK3Q-13

विवरण: MOSFET NCH 30V 21A TO252

निर्माता: Diodes Incorporated
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RFQ
DMTH10H015LPS-13

DMTH10H015LPS-13

विवरण: MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI

निर्माता: Diodes Incorporated
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