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GBL02-M3/51

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    GBL02-M3/51
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    BRIDGE RECT 4A GPP 200V GBL
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - पीक रिवर्स (मैक्स)
    200V
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1.1V @ 4A
  • प्रौद्योगिकी
    Standard
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    GBL
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    4-SIP, GBL
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    46 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • डायोड प्रकार
    Single Phase
  • विस्तृत विवरण
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 200V Through Hole GBL
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    5µA @ 200V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    4A
GBL01-E3/51

GBL01-E3/51

विवरण: DIODE GPP 1PH 4A 100V GBL

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GBL02 D2G

GBL02 D2G

विवरण: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A GBL

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
GBL04-E3/45

GBL04-E3/45

विवरण: DIODE GPP 1PH 3A 400V GBL

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GBL01-M3/45

GBL01-M3/45

विवरण: BRIDGE RECT 4A GPP 100V GBL

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GBL01HD2G

GBL01HD2G

विवरण: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 4A GBL

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
GBL04

GBL04

विवरण: DIODE BRIDGE 400V 4A GBL

निर्माता: GeneSiC Semiconductor
स्टॉक में
GBL04-E3/51

GBL04-E3/51

विवरण: DIODE GPP 1PH 3A 400V GBL

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GBL06

GBL06

विवरण: DIODE BRIDGE 600V 4A GBL

निर्माता: GeneSiC Semiconductor
स्टॉक में
GBL01/1

GBL01/1

विवरण: RECTIFIER BRIDGE 4A 100V GBL

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GBL02-E3/51

GBL02-E3/51

विवरण: DIODE GPP 1PH 4A 200V GBL

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GBL02HD2G

GBL02HD2G

विवरण: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A GBL

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
GBL04 D2G

GBL04 D2G

विवरण: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A GBL

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
GBL02-E3/45

GBL02-E3/45

विवरण: DIODE GPP 1PH 4A 200V GBL

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GBL02

GBL02

विवरण: DIODE BRIDGE 200V 4 A- GBL

निर्माता: GeneSiC Semiconductor
स्टॉक में
GBL06 D2G

GBL06 D2G

विवरण: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBL

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
GBL02-M3/45

GBL02-M3/45

विवरण: BRIDGE RECT 4A GPP 200V GBL

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GBL01-M3/51

GBL01-M3/51

विवरण: BRIDGE RECT 4A GPP 100V GBL

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GBL04-M3/51

GBL04-M3/51

विवरण: BRIDGE RECT 4A GPP 400V GBL

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GBL04HD2G

GBL04HD2G

विवरण: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A GBL

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
GBL06-E3/45

GBL06-E3/45

विवरण: DIODE GPP 1PH 4A 600V GBL

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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